Transistores de un nuevo tipo

Un grupo de ingenieros de la Universidad de Wisconsin-Madison creó, según ellos, "el transistor de película delgada más funcional y más rápido del mundo". Además de poseer altos parámetros eléctricos, tales transistores pueden producirse por medio de métodos de producción rápidos, simples y económicos, que pueden expandirse fácilmente a la escala de la producción industrial masiva. Este logro permitirá a los desarrolladores en el futuro cercano crear nuevos dispositivos portátiles y móviles avanzados que tengan altas capacidades intelectuales y sean capaces de mantener su desempeño en compresión, estiramiento y otros tipos de deformación.

El nuevo transistor de película fina se fabrica utilizando la tecnología BiCMOS (semiconductor bipolar de óxido de metal complementario). Estos transistores tienen alta velocidad, son capaces de atravesar una corriente suficientemente grande, operan a un voltaje relativamente alto y tienen una pequeña resistencia transitoria, lo que permite reducir la cantidad de energía desperdiciada en forma de calor liberado. En este caso, toda la estructura del transistor se aplica a la superficie del sustrato de nanomembrana de silicio durante un proceso de procesamiento de alta temperatura de una etapa.

BiCMOS-transistores son el modo preferido para el tratamiento de los dispositivos de transistores de "señales mixtas" que combinan el procesamiento de señales tanto analógicas como digitales. Tales dispositivos incluyen más utilizados por nosotros en la vida cotidiana de los dispositivos portátiles, teléfonos móviles, por ejemplo. "Y ahora, con los nuevos transistores, tales dispositivos pueden llegar a ser flexible", - dice Ma Zhenkyang (Zhenqiang Ma), un profesor de ingeniería eléctrica y electrónica.

Con la producción de la tecnología tradicional de transistor de película delgada BiCMOS es un proceso largo que utiliza múltiples etapas de procesamiento de alta temperatura. Incluso una ligera desviación de una temperatura de la fase puede destruir los elementos de transistor de la estructura futuro fabricado utilizando las etapas anteriores.

"En el proceso de producción industrial de fabricación de BiCMOS transistores dura unos tres meses", - dice Ma Zhenkyang - "Nuestro proceso mediante la eliminación de la misma una pluralidad de etapas intermedias, lo que permite a reunirse en una semana y todos juntos conducirá a la liberación de los dispositivos de este tipo de transistores tienen. en un futuro muy cercano ".